BWT ha proposat la teoria de l'ordenació espacial densa (DSBC) i ha verificat la correcció de DSBC mitjançant l'experiment de font de bomba a nivell de quilowatts.En l'actualitat, la potència d'un sol tub s'ha augmentat a 15W-30W@BPP≈5-12mm*mrad i l'eficiència electro-òptica és > 60%, cosa que permet que la font de bomba d'alta potència juntament amb la sortida de fibra mantingui un alt nivell. sortida de brillantor mentre es redueix el volum, és possible reduir el pes i millorar l'eficiència de conversió electro-òptica.

Utilitzant el xip actual, BWT ha realitzat respectivament una font de bomba amb un diàmetre central de 135 μm de sortida acoblada a fibra NA0.22 de 420 W de longitud d'ona bloquejada a 976 nm, qualitat ≈ 500 g;i un diàmetre del nucli de 220 μm de sortida acoblada a fibra NA0.22 1000 W de longitud d'ona única 976 nm (o 915 nm), qualitat ≈ font de bomba de 400 g.

En el futur, amb la millora de la brillantor dels xips de semiconductors i de l'eficiència electroòptica, les fonts de bombes lleugeres i d'alta potència tindran un paper insubstituïble en la fabricació de fonts de llum làser de fibra d'alta potència de petit volum i promouran activament el desenvolupament. d'aplicacions industrials.

Introducció
Els làsers de fibra han crescut ràpidament a causa de la seva excel·lent qualitat de feix i capacitats d'expansió de potència flexibles (combinadors de fibra).En els darrers anys, els làsers de fibra única monomode estan limitats pels efectes TMI (inestabilitat en mode transversal) i SRS, i la potència dels oscil·ladors làser de fibra de bombeig directe de semiconductors està limitada a 5 kW
[1].L'amplificador làser també s'atura a 10 kW
[2].Tot i que la potència de sortida es pot augmentar augmentant adequadament el diàmetre del nucli, la qualitat del feix de sortida també disminueix -1.No obstant això, la demanda de millorar la brillantor de les fonts de bombes de semiconductors encara és urgent.
Els requisits per a la qualitat del feix en aplicacions de processament industrial no són necessàriament monomode.Per augmentar la potència de la fibra única, es permeten alguns modes d'ordre baix.Fins ara, fonts de llum làser multimode combinades de fibra única i feix de pocs modes basades en un bombeig de 976 nm de més de 5 kW Amb aplicacions per lots (principalment tall i soldadura de materials metàl·lics), la producció de fonts de bombes d'alta potència corresponents també s'escala per lots.
Més petit, més lleuger i més estable
La relació entre el xip semiconductor BPP i la brillantor de la font de la bomba
Fa tres anys, la brillantor dels xips de 9xxnm era majoritàriament al nivell de 3W/mm*mrad@12W-100μm d'amplada de tira i 2W/mm*mrad@18W-200μm d'amplada de tira.A partir d'aquests xips, BWT aconsegueix 600W i 1000W 200μm NA0.22 sortida acoblada a fibra-1.
Actualment, la brillantor dels xips de 9xxnm ha aconseguit una amplada de tira de 3,75 W/mm*mrad@15W-100μm i una amplada de tira de 3W/mm*mrad@30W-230μm, i l'eficiència electroòptica es manté bàsicament al voltant del 60%.
Segons la teoria de la disposició espacial densa [6], es calcula segons l'eficiència mitjana d'acoblament de fibres del 78% (emissió làser del xip a la sortida d'acoblament de fibra: combinació de feix espacial d'una sola longitud d'ona i combinació de feix de polarització sense VBG), i se suposa que el xip funciona a la potència més alta (el xip BPP és diferent a diferents corrents), hem compilat un mapa de dades de la següent manera:

* Brillantor del xip VS potència de sortida de l'acoblament de fibra de diàmetre del nucli diferent

A la figura anterior es pot trobar que quan una determinada fibra (diàmetre del nucli i NA està fixat) aconsegueix una sortida d'acoblament de potència específica, per a xips amb brillantor diferent, el nombre de xips és diferent i el volum i el pes de la font de la bomba també són diferents.Per als requisits de bombeig del làser de fibra, si es selecciona la font de bomba feta dels xips anteriors amb una brillantor diferent, el pes i el volum del làser de fibra de la mateixa potència són completament diferents i la configuració del sistema de refrigeració d'aigua també és Bastant diferent.
L'alta eficiència, la mida petita i el pes lleuger són les tendències inevitables en el desenvolupament de futures fonts de llum làser (ja siguin làsers de díode, làsers d'estat sòlid o làsers de fibra), i la brillantor, l'eficiència i la potència dels xips de semiconductors hi tenen un paper decisiu. .
Font de bomba lleugera, alta brillantor i alta potència
Per adaptar-nos al combinador de fibres, hem seleccionat les especificacions comunes de fibra: 135μm NA0.22 i 220μm NA0.22.El disseny òptic de les dues fonts de bomba adopta una disposició espacial densa i una combinació de feix de polarització.
Entre ells, el 420WLD adopta un xip de 3,75 W/mm * mrad@15W i una fibra NA0,22 de 135 μm i té un bloqueig de longitud d'ona VBG, que compleix els requisits de bloqueig d'ona de potència del 30-100% i l'eficiència electroòptica és del 41% .El cos LD està fet de material d'aliatge d'alumini i estructura sandvitx [5].Les fitxes superior i inferior comparteixen el canal de refrigeració d'aigua, cosa que millora l'ús de l'espai.La disposició del punt de llum, l'espectre i la potència de sortida (potència a la fibra) es mostren a la figura:

*420W@135μm NA0,22 LD

Hem seleccionat 6 LD per a proves de xoc i vibració a alta i baixa temperatura.Les dades de la prova són les següents: